致冷晶片

致冷晶片是一種產生負熱阻的製冷技術，可在致冷晶片兩端維持一個溫差，當熱面溫度Th達到50℃時此溫差可超過75℃，當熱面的熱量不斷被移出時，熱量會從冷面持續被抽出。抽出的速率跟致冷晶片的功率有關，一般功率越大則速率越大。

致冷晶片使用上僅需輸入電流，就可進行冷卻或加熱，操作簡單也易於維修，因無機械零件、無噪音產生，且不使用冷媒，響應環保概念。

致冷晶片原理：因半導體材料的Peltier效應，當一對P、N型粒子(如圖所示)連接並通以直流電時，上端面溫度將降低形成吸熱端；下端面溫度升高形成放熱端。

致冷晶片規格：
(1)外形、尺寸：一般為方形，也有長方形、圓形和寶塔形等。單片厚度約3-5mm，雙片或多片近3mm的倍數。
(2)最大產冷量：保持熱面溫度27℃（或50℃）時，可從冷面抽出熱量的最大值。一般用來比較不同規格的製冷能力。
(3)最大溫差電壓：致冷晶片維持兩端溫差大小的能力與直流電壓成正比，達到最大溫差時稱為最大溫差電壓，若施加的電壓超過該電壓後溫差將會縮小。
(4)最大溫差電流：是確認致冷晶片功率的重要指標，有時用電阻值替代表示，當冷熱面溫度27℃時（溫差為0），是在最大溫差電壓下的電流值。該數值可代表致冷晶片的功率大小，亦表示運作時的電流範圍。

致冷晶片規格表

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